长江存储器基地是一个3DNAND闪存芯片生产基地。长江存储国家存储器基地项目由紫光集团,国家集成电路基金,湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。
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