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正文
在金属氧化物或者其他含氧化合物中，晶格中的氧原子（氧离子）脱离，导致氧缺失，形成的空位，简单来说，就是指氧离子从它的晶格中逸出而留下的缺陷，氧空位是半导体材料尤其是金属氧化物半导体中最常见的一种缺陷，对半导体材料的性能有着重要影响。
按照所处的空间位置不同，氧空位可以分为表面氧空能有着重要影响。
按照所处的空间位置不同，氧空位可以分为表面氧空位和体相氧空位，如果按照氧空位对光催化性能影响不同进行更细致的分类，体相氧空位又可以分为次表面氧空位和体相氧空位两种，如果按照束缚电子数进行分类，可以分为束缚双电子型氧空位、束缚单电子型氧空位和无束缚电子型氧空位。
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