1、内存时序(英语:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。
2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经-24。第四个参数(RAS)经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间,通常以纳秒为单位。
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