晶格能的主要影响因素是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型。
1、离子半径越小,晶格能越大。例如,随着卤离子半径增大,卤化物的晶格能降低;
2、离子电荷,电荷越高,晶格能越大。
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3、离子的电子层构型,离子外层电子越多,越容易发生离子极化,相应晶格能会下降。
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