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IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
静态特性：ＩＧＢＴ 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以栅源电压Ｕｇｓ 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高， Ｉｄ 越大。它与ＧＴＲ 的输出特性相似。也可分为饱和区１ 、放大区２ 和击穿特性３ 部分。在截止状态下的ＩＧＢＴ ，正向电压由Ｊ２ 结承担，反向电压由Ｊ１结承担。如果无Ｎ＋缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入Ｎ＋缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些应用范围。
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