igbt饱和压降是在门极电压驱动下,IGBT工作于饱和区(什么是饱和区请查阅相关资料),IGBT集电极(C)与发射极(E)之间的电压差;不同的门极电压对应不同的饱和压降。
饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标,在门极驱动电压存在的情况下,发生IGBT过流,Vce会急剧上升,一般当Vce大于饱和压降10微秒(us)左右,IGBT就会损坏。
一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降,来实现IGBT过流保护的。
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